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SIA923EDJ-T1-GE3

发布时间2023-3-30 11:57:00关键词:SIA923EDJ-T1-GE3
摘要

SIA923EDJ-T1-GE3

SiA923EDJ-T1-GE3

技术参数

漏源极电阻54 mΩ

极性Dual P-Channel

耗散功率1.9 W

漏源极电压(Vds)20 V

连续漏极电流(Ids)4.5A

上升时间16 ns

额定功率(Max)7.8 W

下降时间10 ns

工作温度(Max)150 ℃

工作温度(Min)-55 ℃

耗散功率(Max)7.8 W

封装参数

安装方式Surface Mount

引脚数6

封装SC-70-6

外形尺寸

长度2.15 mm

宽度2.15 mm

高度0.8 mm

封装SC-70-6

物理参数

工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他

产品生命周期Active

包装方式Tape & Reel (TR)

最小包装3000

符合标准

RoHS标准RoHS Compliant

含铅标准Lead Free

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